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隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體封裝技術(shù)也在不斷創(chuàng)新和改進(jìn)，以滿足高性能、小型化、高頻化、低功耗、以及低成本的要求。等離子處理技術(shù)作為一種高效、環(huán)保的解決方案，能夠滿足先進(jìn)半導(dǎo)體封裝的要求，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片DB/WB工藝、Flip Chip (FC)倒裝工藝中。

汽車大尺寸內(nèi)飾塑膠件普遍呈彎曲、凹凸等非平面造型，火焰法處理與常壓等離子均處理時(shí)會(huì)存在無(wú)法處理到的死角，使用大腔體真空等離子可高效、全方位均勻進(jìn)行表面活化處理，提高潤(rùn)濕性，從而提高粘接強(qiáng)度，不同規(guī)格的內(nèi)飾件可定制相應(yīng)尺寸的腔體。

化妝品中的乳化、分散、增溶、發(fā)泡和清潔等功能都與表界面能有關(guān)，通過(guò)接觸角測(cè)量?jī)x可以測(cè)量化妝品中原料的接觸角，從而幫助判斷和分析其潤(rùn)濕和分散行為。

目前已經(jīng)發(fā)現(xiàn)至少六種導(dǎo)致接觸角滯后的因素。這六種因素可以分為兩類：熱動(dòng)力學(xué)接觸角滯后和動(dòng)力學(xué)接觸角滯后。表面能粗糙度和表面多級(jí)結(jié)構(gòu)屬于熱動(dòng)力學(xué)導(dǎo)致的接觸角滯后范疇，這兩個(gè)因素同時(shí)也是自然界中導(dǎo)致接觸角滯后最普遍的兩種因素；第二類，即動(dòng)力學(xué)導(dǎo)致的接觸角滯后是通過(guò)接觸角的時(shí)間相關(guān)或者周期相關(guān)性來(lái)定義。

碳化硅（SiC）因其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高硬度、高耐磨性和良好的化學(xué)穩(wěn)定性而備受關(guān)注，特別是在高溫、高壓和強(qiáng)腐蝕環(huán)境下，碳化硅（SiC）展現(xiàn)出卓越的性能，在半導(dǎo)體、核能、國(guó)防及空間技術(shù)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

接觸角測(cè)量?jī)x通過(guò)光學(xué)投影的原理，對(duì)氣、液、固三相界面輪廓進(jìn)行保真采集精密分析。接觸角測(cè)量?jī)x測(cè)試方法包括座滴法、增液/縮液法、傾斜法、懸滴法、纖維裹附法、氣泡捕獲法、批量擬合法、插板法等。