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RTP半自動快速退火爐:進一步優化碳化硅(SiC)表面的氧化層結構

2024-07-17

碳化硅(SiC)因其優異的熱穩定性、高硬度、高耐磨性和良好的化學穩定性而備受關注,特別是在高溫、高壓和強腐蝕環境下,碳化硅(SiC)展現出卓越的性能,在半導體、核能、國防及空間技術等領域具有廣闊的應用前景。

碳化硅氧化工藝的應用

在半導體領域,碳化硅(SiC)氧化工藝作為半導體制造中的關鍵步驟之一,對于提升碳化硅器件的性能和可靠性具有重要意義。特別是在MOSFET等功率器件中,碳化硅(SiC)表面氧化層的質量直接影響到器件的性能和可靠性,影響著控制器件的閾值電壓和漏電流等關鍵參數。

為了在碳化硅(SiC)表面形成一層氧化物薄膜,需要通過氧化工藝實現。其中,氧化工藝的方法包括熱氧化、化學氣相沉積氧化和電化學氧化,目前最常用的方法是熱氧化方法,通過熱氧化工藝,在高溫條件下下形成均勻、高質量的SiO?柵氧化層,從而提升器件的擊穿電壓、降低漏電流和噪聲。

RTP快速退火爐的技術特點

RTP快速退火爐采用先進的加熱和冷卻技術,能夠在極短的時間內將材料加熱到預定溫度,并在完成退火后迅速冷卻降溫。在熱氧化工藝中,RTP快速退火爐能夠確保碳化硅(SiC)材料在短時間內達到所需的氧化溫度,從而縮短處理周期,提高生產效率。其次,RTP快速退火爐還能提供均勻的溫度分布,確保碳化硅(SiC)材料在退火過程中受熱均勻,從而避免產生局部過熱或溫度梯度導致的質量問題。

RTP快速退火爐在碳化硅氧化工藝中的應用優勢

RTP快速退火爐為碳化硅(SiC)氧化工藝提供穩定的高溫環境,進一步優化碳化硅(SiC)表面的氧化層結構,同時填補晶格缺陷,降低殘余應力,提高氧化物和晶體的結合質量,改善電學性能。

另外,與高溫氧化爐對比,RTP快速退火爐處理時間短,效率高,其形成的氧化膜厚更加均勻,能夠在提高材料性能的同時實現高效處理。

RTP快速退火爐優勢

1.高效性:具有極快的升溫速率,高達100℃/s,能夠在短時間內完成退火過程,提高生產效率

2.精準控溫性:燈管功率 PID 控溫,可精準控制溫度升溫,保證良好的重現性與溫度均勻性

3.溫度均勻性:采用先進的加熱和冷卻技術,在≥500℃的條件下,溫度均勻度可實現≤±1%

4.靈活性:可擴展至6組工藝氣體,根據不同材料的退火工藝需求靈活調整,滿足各種應用場景需求

5.安全性:采用爐門安全溫度開啟保護、溫控器開啟權限保護以及設備急停安全保護三重安全措施,全方位保障儀器使用安全

單腔半自動快速退火爐RTP

RTP-SA-12是在保護氣氛下的半自動立式快速退火系統,以紅外可見光加熱單片Wafer或樣品,工藝時間短,控溫精度高,適用 4-12 英寸晶片。先進的溫度控制技術,保證良好的重現性與溫度均勻性。

行業應用

①氧化物、氮化物生長

②硅化物合金退火

③砷化工藝

④歐姆接觸快速合金

⑤氧化回流

⑥其他快速熱處理工藝

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